HYG011N04LS1C2 DFN-8 마킹, 단일 N 채널 인핸스먼트 모드 MOSFET, 40V 165A

반도체 산업에서 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)는 현대 전자기기의 기반이 되는 필수적인 구성 요소입니다. 다양한 응용 분야에서 널리 사용되며, 특히 전력 전자 분야에서 스위칭 및 증폭 회로에 중요한 역할을 합니다. HYG011N04LS1C2 DFN-8 마킹의 단일 N 채널 인핸스먼트 모드 MOSFET은 이러한 응용 분야에 적합한 고성능 솔루션을 제공합니다.

주요 특징

• 40V의 내압으로 높은 전압 처리 용량
• 165A의 높은 전류 처리 용량으로 대전류 응용 분야에 적합
• N 채널 인핸스먼트 모드 작동으로 로직 레벨 게이팅에 적합
• DFN-8 패키지로 소형 크기와 우수한 열 성능 제공

응용 분야

HYG011N04LS1C2 MOSFET는 다음과 같은 다양한 응용 분야에 사용할 수 있습니다.

• 스위칭 전원 공급 장치
• 모터 제어
• 배터리 관리 시스템
• LED 조명
• 오디오 증폭기

이점

• 뛰어난 전력 효율성으로 발열 감소 및 시스템 신뢰성 향상
• 빠른 스위칭 속도로 효율적인 전력 변환 및 노이즈 감소
• 견고한 구조로 까다로운 작동 조건에서도 신뢰할 수 있는 성능 제공
• RoHS 적합성으로 환경 친화적인 솔루션 제공

대안 제품

HYG011N04LS1C2 MOSFET의 대안 제품으로는 다음이 있습니다.

• IRLB4132PBF
• FQP47P06
• STD16NM60N

자주 묻는 질문(FAQ)

Q: HYG011N04LS1C2 MOSFET의 게이트-소스 임계 전압은 무엇입니까?
A: 일반적으로 2V~4V입니다.

Q: 이 MOSFET의 최대 정션 온도는 얼마입니까?
A: 150°C입니다.

Q: 이 MOSFET은 병렬로 연결하여 전류 처리 용량을 늘릴 수 있습니까?
A: 예, 병렬로 연결하여 전류 처리 용량을 늘릴 수 있습니다. 그러나 열 관리에 주의해야 합니다.

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